华电院采购共聚焦射频磁控溅射系统

发布时间: 2024年06月24日
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华电院采购共聚焦射频磁控溅射系统
竞价结果(****)
开始时间:2024-06-21 09:32:00 截止时间:2024-06-24 09:32:00
成交单位:****
成交价: 226800.000元
说明:各有关当事人对竞价结果有异议的,可以在竞价结果公告发布之日起3天内通过规定途径提起异议,逾期将视为无异议,不予受理。
采购单位:****
联系人:张老师
E-mail:无
联系电话:020-****4813
传真:无
联系手机:无
邮编:无
平台联系电话(异议):020-****9972;****@qq.com
项目名称:
华电院采购共聚焦射频磁控溅射系统
竞价编号:****
采购类型:货物类
开始时间:2024-06-21 09:32:00
项目预算(元):228,000.00
结束时间:2024-06-24 09:32:00
质保期及售后要求:产品整机免费保修期不少于1年,需提供加盖制造商公章的售后服务承诺函编入响应文件。承诺设备投入使用后,若仪器发生问题,对相关的技术问题能在24小时内及时进行响应,供方可通过电话、传真、邮件等形式及时进行指导加以排除;若通过电话、传真、邮件等在1个工作日内仍不能解决问题,供方工程师应在其后48小时内赶到需方现场进行检修;若发生现场不能解决的问题,供方可将仪器(或故****办事处进行处理,处理时间最长不超过15个工作日。质保期内,供方为检修仪器发生的所有费用由供方承担。质保期后,若仪器发生故障,供方可按相关定额标准收取相关服务费及材料费。若需方能将仪****办事处进行修理,供方只收取相应的材料费。
其他要求:无
响应情况
资格及商务响应情况 项目 竞价要求 响应情况 报价情况 标的名称 品牌/型号 数量 响应情况 单价(元/%) 技术响应 标的名称 技术要求 响应情况
资格条件 原厂或者原厂授权。 原厂
付款方式 签订合同后预付合同款的30%,验收合格后付剩下的70%。 签订合同后预付合同款的30%,验收合格后付剩下的70%。
交付时间 签订合同后7天送货 签订合同后 签订合同后60日送货。 天送货。
交付地址 **省**市**区****大学城校区理5栋
质保期及售后要求 产品整机免费保修期不少于1年,需提供加盖制造商公章的售后服务承诺函编入响应文件。承诺设备投入使用后,若仪器发生问题,对相关的技术问题能在24小时内及时进行响应,供方可通过电话、传真、邮件等形式及时进行指导加以排除;若通过电话、传真、邮件等在1个工作日内仍不能解决问题,供方工程师应在其后48小时内赶到需方现场进行检修;若发生现场不能解决的问题,供方可将仪器(或故****办事处进行处理,处理时间最长不超过15个工作日。质保期内,供方为检修仪器发生的所有费用由供方承担。质保期后,若仪器发生故障,供方可按相关定额标准收取相关服务费及材料费。若需方能将仪****办事处进行修理,供方只收取相应的材料费。 产品整机免费保修期2年,已提供加盖制造商公章的售后服务承诺函编入响应文件。承诺设备投入使用后,若仪器发生问题,对相关的技术问题能在2小时内及时进行响应,供方可通过电话、传真、邮件等形式及时进行指导加以排除;若通过电话、传真、邮件等在1个工作日内仍不能解决问题,供方工程师在其后48小时内赶到需方现场进行检修;若发生现场不能解决的问题,供方可将仪器(或故障部件)返厂进行处理,处理时间最长不超过15个工作日。质保期内,供方为检修仪器发生的所有费用由供方承担。质保期后,若仪器发生故障,供方可按相关定额标准收取相关服务费及材料费。若需方能将仪****工厂进行修理,供方只收取相应的材料费。
其他要求:
共聚焦射频磁控溅射系统 微纳真空/VJC-300 Pro 1.00 微纳真空/VJC-300 Pro 226800.000元
总报价 226800.000 元
共聚焦射频磁控溅射系统 1.真空腔室:净空间尺寸不大于Φ450 ×H450 mm,要求前开门,前门需配备观察窗,观察窗玻璃尺寸不小于Φ9 5mm,配至少一套方便拆卸的防污隔板;腔室、法兰、管道、防污隔板等均采用304无磁不锈钢材质;2.真空系统:主泵分子泵抽速不小于2000 m3/ h,前级泵抽速不小于30 m3/ h,全量程数显复合真空计量程:1×105~1×10-5Pa; 3. ★真空极限:优于2.3 ×10-7 Torr;4.抽速:抽至4.0 ×10-6 Torr≤ 15 min;5.基片台:根据客户要求定制的基片台,最大可处理基片不小于4英寸,基片台配一体式全尺寸挡板,挡板开合需要磁流体密封;基片台旋转:旋转速度0-25转/分连续可调,基片台旋转需要磁流体密封;基片台加热:PID智能温控表,控温范围室温~400 °C;6. ★溅射靶及电源:不少于2只圆形平面靶,靶面尺寸不小于φ60 mm,可调整角度不小于±50 °,可单靶轮流/双靶聚焦共溅射;直流电源不少于1台,要求可切换恒压,恒流,恒功率控制模式,电源功率可以预先设置;射频电源1台,频率13.56 MHz,要求自动匹配;7.靶挡板:靶上有气动水平打开式挡板,角度与靶倾斜角度同步可调,要求磁流体密封;8.速率和膜厚监控:采用膜厚监控仪在线监控溅射速率和膜厚,1只水冷探头;膜厚仪速率显示分辨率±0.1 ā/s,厚度显示分辨率±1ā;9.气路系统:不少于两路工艺气体MF C控制,量程范围需满足工艺制备金属、金属氧化物的需要;10.操控系统:PL C+触摸屏手自一体操控系统,真空系统的控制分为手动和自动二种模式,自动模式下,根据腔内压强自动执行相关泵,阀的启闭;可远程监控,软件使用期限:永久有效;11.辅件配置:冷却循环水机1台,制冷量不小于1P; 1.真空腔室:净空间尺寸Φ300×H400mm(小于Φ450×H450mm),前开门,前门配备观察窗,观察窗玻璃尺寸Φ99mm(大于Φ95mm),配一套方便拆卸的防污隔板;腔室、法兰、管道、防污隔板等均采用304无磁不锈钢材质; 2.真空系统:主泵分子泵抽速600L/s(即2160m3/h,大于2000m3/h),前级泵抽速9L/s(即32.4m3/h,大于30m3/h),全量程数显复合真空计量程:1×105~1×10-5Pa; 3.★真空极限:优于3.0×10-5Pa(2.3×10-7Torr); 4.抽速:抽至5.0×10-4Pa(4.0×10-6Torr)≤20min; 5.基片台:根据客户要求定制的基片台,最大可处理基片不小于4英寸,基片台配一体式全尺寸挡板,挡板开合磁流体密封;基片台旋转:旋转速度0-25转/分连续可调,基片台旋转磁流体密封;基片台加热:PID智能温控表,控温范围室温~400℃; 6.★溅射靶及电源:2只圆形平面靶,靶面尺寸φ60mm,可调整角度±50°,可单靶轮流/双靶聚焦共溅射;直流电源1台,可切换恒压,恒流,恒功率控制模式,电源功率可以预先设置;射频电源1台,频率13.56MHz,自动匹配; 7.靶挡板:靶上有气动水平打开式挡板,角度与靶倾斜角度同步可调,磁流体密封; 8.速率和膜厚监控:采用膜厚监控仪在线监控溅射速率和膜厚,1只水冷探头;膜厚仪速率显示分辨率±0.1/s,厚度显示分辨率±1; 9.气路系统:两路工艺气体MFC 控制,量程范围0~50SCCM(Ar)\0~30SCCM(O2)满足工艺制备金属、金属氧化物的需要; 10.操控系统:PLC+触摸屏手自一体操控系统,真空系统的控制分为手动和自动二种模式,自动模式下,根据腔内压强自动执行相关泵,阀的启闭;可远程监控,软件使用期限:永久有效; 11.辅件配置:冷却循环水机1台,制冷量1P;
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