北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购更正公告

一、项目基本情况

原公告的采购项目编号：****

原公告的采购项目名称：****大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购

首次公告日期：2024年12月06日

二、更正信息

更正事项：采购文件

更正内容：

1、原招标文件“第一章 投标邀请”附件中“主要技术要求”：

附件：

（一）无掩膜高深比切割与检测设备

1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w。

2. 平均刻蚀功率≥100w。

3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。

4. 需要包含惰性气体保护系统。

5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。

6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。

7. 精密测量模块定位精度：不高于± 0.2μm。

8. 直线度：不高于± 0.4μm。

9. #测量行程≥200 mm。

10. 输出频率包括0~40Mhz。

11. #输出通道≥2。

12. 上升/下降时间≤9 ns。

13. 测试波长范围包括400~1100nm。

14. 相位分辨率≤2 nm。

15. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。

16. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。

17. ★最大刻蚀深度≥20 mm。

（二）离子增强刻蚀设备

1.晶圆大小：四英寸。

2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。

3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。

4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。

5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。

8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。

9.#载片台直径不小于160mm。

10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。

13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。

14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。

15.气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。

16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。

17.★最大刻蚀深度大于300um。

现更正为：

附件：

（一）无掩膜高深比切割与检测设备

1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w，平均刻蚀功率≥100w。

2. 精密测量模块定位精度不高于± 0.2μm，直线度不高于± 0.4μm。

3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。

4. 需要包含惰性气体保护系统。

5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。

6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。

7. #测量行程≥200 mm。

8. #输出通道≥2，输出频率包括0~40Mhz。

9. 上升/下降时间≤9 ns。

10. 测试波长范围包括400~1100nm，相位分辨率≤2 nm。

11. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。

12. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。

13. ★最大刻蚀深度≥20 mm。

14. 相位与强度采样≥182×136。

15. 相位测试空间分辨率≤27.6μm。

16. 样品托盘最大直径≥6英寸，向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片。

17. 不同尺寸样品之间需要可以自动切换，控制系统需要可以全部组件进行实时监控。

（二）离子增强刻蚀设备

隔离槽刻蚀机台模块：

1.晶圆大小：四英寸。

2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。

3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。

4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。

5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。

8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。

9.#载片台直径不小于160mm。

10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。

13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。

14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。

15. #气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。

16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。

17.★最大刻蚀深度大于300um。

不大于1000mm。

离子增强刻蚀监测模块：

26. #独立DAC电压输出通道≥12个。

27.输出电压精度≥24位。

28.动态存储≥120dB。

29.积分时间常数范围包括:1us-500s。

30. #极限压强≤8×10-5Pa，

31.水氧指标：＜1ppm

32.循环能力：集成风机流量≥80m3/h

33.露点分析仪测量范围包括0～500ppm

2、原招标文件“第三章 资格审查、评标办法和标准”中：

附表四 技术评审因素及分值分配表

现更正为：

附表四 技术评审因素及分值分配表

3、原招标文件“第五章 采购需求二、主要技术指标”.

（一）无掩膜高深比切割与检测设备

1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w。

2. 平均刻蚀功率≥100w。

3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。

4. 需要包含惰性气体保护系统。

5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。

6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。

7. 精密测量模块定位精度：不高于± 0.2μm。

8. 直线度：不高于± 0.4μm。

9. #测量行程≥200 mm。

10. 输出频率包括0~40Mhz。

11. #输出通道≥2。

12. 上升/下降时间≤9 ns。

13. 测试波长范围包括400~1100nm。

14. 相位分辨率≤2 nm。

15. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。

16. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。

17. ★最大刻蚀深度≥20 mm。

18. 相位与强度采样≥182×136。

19. 相位测试空间分辨率≤27.6μm。

20. 样品托盘最大直径≥6英寸，向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片。

21. 不同尺寸样品之间需要可以自动切换，控制系统需要可以全部组件进行实时监控。

22. 需要可以通过工艺软件对气体压力、刻蚀功率等工艺参数进行实时调控，也可以自动控制。

23. 设备需要配置紧急停止开关，具备完善安全互锁功能。

（二）离子增强刻蚀设备

18.晶圆大小：四英寸。

19.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。

20.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。

21.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。

22.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

23.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

24.#上功率两路输出，调节等离子体分布。

25.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。

26.#载片台直径不小于160mm。

27.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

28.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

29.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。

30.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。

31.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。

32.气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。

33.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。

34.集成式气路柜，质量流量计MFC到反应腔气体接入口之间的气体管道长度小于15cm，实现工艺气体的快速切换。

35.O2、SF6、C4F8三种气体需要支持连续刻蚀工艺，也需要支持BOSCH工艺。

36.采用矩形插板阀隔断工艺腔与传输腔。

37.采用工控机作为控制系统主机。

38.控制软件具有如下功能：用户等级与操作权限管理；自动运行与工程维护界面模块；实时显示机台状态；日志管理功能；动作互锁功能；工艺菜单编辑功能；机台异常处理功能。

39.带有安全互锁与急停机制（EMO）。

40.★最大刻蚀深度大于300um。

41.深宽比大于6。

42.整机尺寸不大于1700mm（长）×1000mm（宽）×1550mm（高），操作面尺寸不大于1000mm。

43.独立DAC电压输出通道≥12个。

44.输出电压精度≥24位。

45.动态存储≥120dB。

46.积分时间常数范围包括:1us-500s。

现更正为：

（一）无掩膜高深比切割与检测设备

1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w，平均刻蚀功率≥100w。

2. 精密测量模块定位精度不高于± 0.2μm，直线度不高于± 0.4μm。

3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。

4. 需要包含惰性气体保护系统。

5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。

6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。

7. #测量行程≥200 mm。

8. #输出通道≥2，输出频率包括0~40Mhz。

9. 上升/下降时间≤9 ns。

10. 测试波长范围包括400~1100nm，相位分辨率≤2 nm。

11. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。

12. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。

13. ★最大刻蚀深度≥20 mm。

14. 相位与强度采样≥182×136。

15. 相位测试空间分辨率≤27.6μm。

16. 样品托盘最大直径≥6英寸，向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片。

17. 不同尺寸样品之间需要可以自动切换，控制系统需要可以全部组件进行实时监控。

18. 需要可以通过工艺软件对气体压力、刻蚀功率等工艺参数进行实时调控，也可以自动控制。

19. 设备需要配置紧急停止开关，具备完善安全互锁功能。

20. 设备附带高精度MFC 流量控制，并针对不同气体做量程和精度校准。

21. 设备可以实现不同气体的快速切换。

（二）离子增强刻蚀设备

隔离槽刻蚀机台模块：

1.晶圆大小：四英寸。

2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。

3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。

4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。

5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。

8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。

9.#载片台直径不小于160mm。

10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。

13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。

14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。

15. #气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。

16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。

17.集成式气路柜，质量流量计MFC到反应腔气体接入口之间的气体管道长度小于15cm，实现工艺气体的快速切换。

18. #O2、SF6、C4F8三种气体需要支持连续刻蚀工艺，也需要支持BOSCH工艺。

19.采用矩形插板阀隔断工艺腔与传输腔。

20.采用工控机作为控制系统主机。

21.控制软件具有如下功能：用户等级与操作权限管理；自动运行与工程维护界面模块；实时显示机台状态；日志管理功能；动作互锁功能；工艺菜单编辑功能；机台异常处理功能。

22.带有安全互锁与急停机制（EMO）。

23.★最大刻蚀深度大于300um。

24.深宽比大于6。

25.整机尺寸不大于1700mm（长）×1000mm（宽）×1550mm（高），操作面尺寸不大于1000mm。

离子增强刻蚀监测模块：

26. #独立DAC电压输出通道≥12个。

27.输出电压精度≥24位。

28.动态存储≥120dB。

29.积分时间常数范围包括:1us-500s。

30. #极限压强≤8×10-5Pa，

31.水氧指标：＜1ppm

32.循环能力：集成风机流量≥80m3/h

33.露点分析仪测量范围包括0～500ppm

招标文件其他内容不变

更正日期：2024年12月11日

三、其他补充事宜

无

四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。

1.采购人信息

名 称：****大学

地址：**市**区中关村南大街5号

联系方式：林老师 010-****7981

2.采购代理机构信息

名 称：****集团****公司

地 址：**市**区丰葆路158号院国信招标

联系方式：张女士186****5266

3.项目联系方式

项目联系人：张女士

电 话： 186****5266